دیتاشیت IPB016N06L3 G

IPB016N06L3 G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPB016N06L3 G
حجم فایل 60.776 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

دانلود دیتاشیت IPB016N06L3 G

IPB016N06L3 G Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPB016N06L3 G
  • Power Dissipation (Pd): 250W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Continuous Drain Current (Id): 180A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.2V@196uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.6mΩ@10V,100A
  • Package: TO-263-7
  • Manufacturer: Infineon Technologies

دیتاشیت محصولات مشابه